速度与优化并进 DDR之巅峰对决(上)——如何有效的优化内存性能

BIOS中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。不用多说，能调多短就调多短。

Command Rate“首命令延迟”（可能的选项：1/2）

这个选项目前已经非常少见，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长 。目前的大部分主板都会自动设置这个参数，而从上文的ScienceMark 2.0测试中，大家也能察觉到容量与延迟之间的关系。

RAS Precharge Time “行预充电时间”（可能的选项：2/3/4）

BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。通过上文的讲述，大家现在应该明白它也是越小越

RAS-to-CAS Delay“行寻址至列寻址延迟时间”（可能的选项：2/3/4/5）

BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。数值越小越好。

Active to Precharge Delay“行有效至行预充电时间”（可能的选项：1……5/6/7……15）

BIOS中的可能其他描述：tRAS、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay等。根据上文的分析，这个参数要根据实际情况而定，具体设置思路见上文，并不是说越大或越小就越好。

好了，到这里，有关内存优化的探讨就告一段落，既然知道了相关的原则与方法，下面就要选选合适的“武器”了，接下来就是本专题的第二部分： DDR 巅峰对决之 19 款内存横向测试。 （若想就相关话题进行深入讨论，欢迎访问《存储时代》论坛）