高手进阶，终极内存技术指南——完整/进阶版

目前的SiP技术可以在CSP的基础上最多堆叠4枚内存芯片（上图可点击放大）

3、DDR-Ⅲ简介

DDR-Ⅲ的设计始于2001年5月，目前只有一个大概的规格。按照JEDEC的计划，DDR-Ⅲ将在2007年正式出台，数据传输率至少从667MHz开始，预取数据容量大于4bit（很可能采用RDRAM那样的8bit设计），而且工作电压比1.8V更低，寄生干扰也将进一步减少。显然，它离我们更是遥远，还不到谈论它还的时候，要知道半导体技术日新月异， DDR-Ⅲ完全有可能因此而中途改变设计。在此，我们就当个小花边新闻吧。

没有我不行——内存模组（上）

内存模组是内存在PC系统中的最终体现形式，所以在本专题的最后，我们来简要谈谈内存模的类型和未来的发展情况。不过，本章节只介绍DIMM，而不涉及RIMM（其实两者的很多概念是相通的）。目前经常见到的模组主要有五种：

1、 Unbuffered DIMM：无缓冲型模组，这是我们平时所用到的标准DIMM，分有ECC和无ECC两种，简称Unb-DIMM。

2、 Regustered DIMM：寄存型模组，这是高端服务器所使用的DIMM，分有ECC和无ECC两种，但市场上几乎都是ECC的，简称Reg-DIMM。

3、 SO-DIMM：Small Outline DIMM，小外型DIMM，笔记本电脑中所使用的DIMM，分ECC和无ECC两种，DDR-Ⅱ时代仅有无ECC的型号。

4、 Micro-DIMM：微型DIMM，供小型笔记本电脑或手持式设备使用的DIMM。

5、 Mini-DIMM：DDR-Ⅱ时代新出现的模组类型，它是Regustered DIMM的缩小版本，用于刀片式服务器等对体积要求苛刻的高端领域。

各类型内存DIMM对比表

三星公司DDR-333标准的SO-DIMM，容量高达512MB

本文将重点讲一下Unb与Reg-DIMM，和未来模组技术的发展

一、Unb与Reg-DIMM的区别

Unb与Reg-DIMM的最大区别在于模组上有无寄存器。在高容量模组上，内存芯片数量很多，而且在需要大容量内存的工作场合，内存模组的安插数量也是很多的，这使命令与寻址信号的稳定性受到了严峻考验。很多芯片组的资料中都说明只有使用Reg-DIMM才能达到标称的最高内存容量，从这点就能猜到寄存器的作用——稳定命令/地址信号，隔离外部干扰。

Reg-DIMM工作示意图，命令与地址信号通过寄存器中继传输至内存芯片

在工作时，命令地址信号会先送入寄存器进行“净化”并进入锁存状态，然后再发送至内存芯片，芯片中的数据则不经过寄存器而直接传向北桥。由于要经过中继传输，所以内存操作的时序也会因此而增加一个时钟周期，这是它所带来的一个弊端，但在高端应用中，内存系统的稳定可靠的重要性远在性能之上，所以Reg-DIMM一般只用于高端市场，并且需要芯片组的支持才行（主要是Reg所引起的时序变化）。而在高端设备中，ECC基本都是必须的，因此市场上的Reg-DIMM也都无一例外的是ECC型模组，虽然也有无ECC的Reg-DIMM设计标准。