高手进阶，终极内存技术指南——完整/进阶版

三星公司展示的DDR-333（下）与DDR-400（上）内存模组

三星是DDR-400的主推厂商，但请注意DDR-400的电压变化，它可能是引起兼容性问题的根源之一

也由于多通道的出现，市场上对DDR-Ⅱ的渴望也并不大，毕竟它与同频的DDR-I内存的带宽一样。而从上文可以看出，DDR-Ⅱ相对于DDR-I的不同设计很多都集中在了如何在更高的工作（时钟）频率下保证数据的可靠。只有当DDR-Ⅱ依靠自身的特有功能与设计来获得更高的时钟频率时，再配合多通道，才会真正拉开与DDR-I的距离，那时也就是DDR-Ⅱ普及的开始。但笔者预测DDR-Ⅱ 400将像DDR-200一样，注定是一个一出生就过时的标准，DDR-Ⅱ至少要从533开始流行。不过在目前情况下，我们还不必太在意DDR-Ⅱ的进展情况，说句实话，它离我们还很远。今天的介绍只是让大家对其有一个大概的了解。

明日之星——DDR-Ⅱ与DDR-Ⅲ（三）

1、DDR-Ⅱ内存图赏

Micron公司的DDR-Ⅱ 533内存与DDR-Ⅱ分析/检测卡，它用来分析DDR-Ⅱ内存的工作情况，并依此对内存的内部设计进行改进，值得注意的是系统平台用的是令人怀念的Micron自己的芯片组

三星公司展示的DDR-Ⅱ 533内存模组，模组标准为PC4300，相应的，如果是DDR-Ⅱ 400将是PC3200

Elpida公司的DDR-Ⅱ内存模组，银光闪闪的CSP封装显得与众不同

2、DDR-Ⅱ时代的封装技术

可以肯定的是TSOP-II将在DDR-Ⅱ时代彻底退出内存封装市场。并且将会出现改良型的CSP——WLP（Wafer Level Packaging，晶圆级封装），它是比CSP更为贴近芯片尺寸的封装方法，由于在晶圆上就做好了封装布线，因此在可靠性方面达到了更高的水平。不过，外在的模样仍与现在的CSP封装差不多，WLP更多的改进是在其内部。

另外值得一提的是为了应付更高容量的需求而采用的SiP封装技术，它是System-in-a-Package的缩写，有时又称之为Stacked Pakage，可以看作是一种集成封装技术。它将多枚内存芯片核心堆叠在一起，然后统一封装成一颗芯片，在有限的面积内通过充分利用空间达到容量倍增的目的。SiP并不是内存中专用的封装技术，原来是用于多种不同功能的芯片统一封装（如一颗嵌入式CPU+DRAM芯片）。