高手进阶，终极内存技术指南——完整/进阶版

从中可以发现它多了两个信号： CLK#与DQS，CLK#与正常CLK时钟相位相反，形成差分时钟信号。而数据的传输在CLK与CLK#的交叉点进行，可见在CLK的上升与下降沿（此时正好是CLK#的上升沿）都有数据被触发，从而实现DDR。在此，我们可以说通过差分信号达到了DDR的目的，甚至讲CLK#帮助了第二个数据的触发，但这只是对表面现象的简单描述，从严格的定义上讲并不能这么说。之所以能实现DDR，还要从其内部的改进说起。

DDR内存芯片的内部结构图，注意比较上文中SDRAM的结构图（上图可点击放大）

这也是一颗128Mbit的内存芯片，标称规格也与前文的SDRAM一样为32×4bit。从图中可以看出来，白色区域内与SDRAM的结构基本相同，但请注意灰色区域，这是与SDRAM的不同之处。首先就是内部的L-Bank规格。SDRAM中L-Bank存储单元的容量与芯片位宽相同，但在DDR SDRAM中并不是这样，存储单元的容量是芯片位宽的一倍，所以在此不能再套用讲解SDRAM时 “芯片位宽=存储单元容量” 的公式了。也因此，真正的行、列地址数量也与同规格SDRAM不一样了。

以本芯片为例，在读取时，L-Bank在内部时钟信号的触发下一次传送8bit的数据给读取锁存器，再分成两路4bit数据传给复用器，由后者将它们合并为一路4bit数据流，然后由发送器在DQS的控制下在外部时钟上升与下降沿分两次传输4bit的数据给北桥。这样，如果时钟频率为100MHz，那么在I/O端口处，由于是上下沿触发，那么就是传输频率就是200MHz。

现在大家基本明白DDR SDRAM的工作原理了吧，这种内部存储单元容量（也可以称为芯片内部总线位宽）=2×芯片位宽（也可称为芯片I/O总线位宽）的设计，就是所谓的两位预取（2-bit Prefetch），有的公司则贴切的称之为2-n Prefetch（n代表芯片位宽）。

二、DDR SDRAM与SDRAM的不同

DDR SDRAM与SDRAM的不同主要体现在以下几个方面。

DDR SDRAM与SDRAM的主要不同对比表

（上图可点击放大）

DDR SDRAM与SDRAM一样，在开机时也要进行MRS，不过由于操作功能的增多，DDR SDRAM在MRS之前还多了一EMRS阶段（Extended Mode Register Set，扩展模式寄存器设置），这个扩展模式寄存器控制着DLL的有效/禁止、输出驱动强度、QFC 有效/无效等。