不进则退 闪存应市场而变

高速度

本文是《让我们谈谈NVRAM》专题的一部分

在易失性存储器中，DRAM从EDO、SDRAM进化到了DDR SDRAM， DDR-II也即将来临，后面还有DDR-Ⅲ。SRAM方面也迎来DDR、QDR时代，那么同为电子存储元件的非易失性存储器呢？在技术日新月异的今天，新的市场与新的需求都在对闪存的发展提出了更多的要求，这也促进了当仿闪存的进步……

在传统的应用领域中，NOR与NAND可谓各占一方，而未来的W&M市场将是双方都在努力争取的阵地。由于掌上设备对闪存的要求远比移动存储高得多，因此它成为了闪存未来发展的主要动力，而由此带来的发展也会带动闪存的整体进步。所以，通过闪存在掌上世界中的努力，我们就能体会到闪存的变革……

闪存在掌上设备中的作用与硬盘相同，但与硬盘相比，访问速度要快得多，并且还在进一步提速。NAND型闪存的随机访问时间通常在25μs左右，而NOR型则是约90ns，不过两者作持续传输时的访问时间则是差不多的。这就有点像RDRAM与DDR SDRAM的对比。也因此，NOR型闪存可以达到所谓的XIP的要求（eXecute In Place，本地执行）。由于90ns已经与普通的DRAM的速度相差不多，所以，闪存中存放在代码不必先调入DRAM或SRAM中然后再由相关的处理单元调用（这是以往的作法），而是可直接在本地调用/执行，即具备了代码执行（Code Execute）能力。所以，为什么说NOR是以代码存储为导向，原因也在于此。

在另一方面，为了应付网络数据的传输，目前的NOR闪存都在提倡的能力就是RWW/E（Read-While-Write / Erase，写或擦除的同时读）。而由于设计上的限制（I/O接口和内部的存储阵列），NAND闪存是不可能具备这种能力的。NOR闪存在内部数据则进行所谓的分区（Partition）和逻辑Bank的管理，一般是4Mb或8Mb，在对一个分区进行读（执行代码）时，可对其他分区进行写或擦除操作，数据总线则在输入与输出之间根据需要调转。这种双操作（Dual Operation）模式对于保证网络数据的吞吐量是非常重要的。由此可以看出，在满足基本速度要求之后，闪存也在操作模式上寻求突破来满足更苛刻的性能需要。这方面，Intel的无线闪存（Wireless Flash）系列产品（W18/W30、L18/L30）就是很好的例证。

不过，为了挤进这一领域，NAND型闪存也在通过种种手段来加强XIP能力，比如额外设置Shadow RAM（一般是PSRAM和SRAM）来提高代码执行的速度。可这样一来就会削弱NAND闪存在成本上的优势（一般需要整合封装来实现）。因此，就目前来看，在这方面NOR的综合实力还是更强一些。但如果发展成熟，NAND型闪存的容量优势将是非常有力的。

将Cache、启动引导、预取等设计溶入NAND闪存中，从而使后者具备XIP能力（点击放大）

三星公司推出的OneNAND设计，目的就在于在掌上设备中替代NOR闪存（点击放大）