目前大多数主板使用的都是Phoenix-Award、AMI两家的BIOS。虽然不同品牌主板的BIOS会有差异,但优化内存的一些基本设置是相似的,多在“Advanced Chipset Features(高级芯片组特性)”或“Frequency/Voltage Control(频率/电压控制)”选项里,其中CAS Latency、RAS to CAS Delay和RAS Precharge Time三项决定着内存速度和性能(如图1)。
图1决定着内存速度和性能的选项
CAS Latency是内存CAS信号延迟时间,可选值为2、2.5或3,延迟数值越小,系统读取内存数据时的速度就越快。一般系统默认SDRAM内存的CL值设为3,DDR内存的CL值设为2.5;而RAS To CAS Delay和RAS Precharge Time,则分别是内存RAS到CAS的延迟时间、预充电所需的周期时间,数值越小越好。
内存交错(DRAM Bank Interleave)是威盛(VIA)芯片组用来提升内存性能的一种技术,能提供更多的传输管道与更高的内存频宽,使内存在同一时间内能同时进行多个写/读的操作,从而有效地提高系统性能。内存交错运行模式主要有2路交错(2-Bank Interleave)和4路交错(4-Bank Interleave)两种。出于保证系统稳定的考虑,很多基于VIA芯片组的主板在默认情况下关闭了内存交错模式或默认最多以2路方式来运行。进行内存性能的优化时,你可在BIOS中通过简单设置将其打开激活。